TwinMOS TwiSTER 512MB（DDR500/CL2.5/TSOP）参数

技术参数
颗粒封装形式	TSOP
电压	2.5V
传输标准	DDR 500
CL设置	2.5
ECC校验	否
CAS延迟	CAS延迟 CAS Latency 列地址选通脉冲时间延迟，CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 2.5

基本参数
主频(MHz)	500
封装类型(针数)	184Pin
适用类型	适用类型 SRAM 静态RAM，静态随机存取存储器（static RAM ）。随机存取存储器的一种。数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低。利用CMOS工艺制成的静态RAM有读写状态和维持状态两种模式，当处于维持模式时，只要加上较低的电压，就能够保持其中的数据不丢失。台式机内存
传输类型	DDR内存
容量	512MB

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