DDRⅢ显存采用0.11微米工艺制造，工作速度提升至2ns，耗电量却只有原来的一半。此外DDR3显存在原来DDR2的基础上作了更进一步的改进，不仅把核心电压与I/O电压均保持在1.9V±0.1V，而且还采用了ODT（核心整合终结器）技术，EMRS技术，允许输入时钟异步（CK和/CK），32毫秒自动刷新(4K cycle)等新技术。
收藏DDRⅢ显存采用0.11微米工艺制造，工作速度提升至2ns，耗电量却只有原来的一半。此外DDR3显存在原来DDR2的基础上作了更进一步的改进，不仅把核心电压与I/O电压均保持在1.9V±0.1V，而且还采用了ODT（核心整合终结器）技术，EMRS技术，允许输入时钟异步（CK和/CK），32毫秒自动刷新(4K cycle)等新技术。
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