「威刚科技」再度领先群雄,Vitesta DDR2 667为全球第一名通过Intel 认证之内存模块!如今,此一令人惊艳不已的Vitesta DDR2-667 内存,业已轰动上市。Vitesta DDR2-667 目前的容量大小为512MB,未来将持续导入更高容量的产品。此内存之架构由:单面,8 颗64M x 8 (256Mbit) 所组成。
Vitesta 内存之规格,虽然,实行:符合JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council;美国电子工程设计发展联合协会) 667MHz 数据数据传输之标准规范;然而,「威刚科技」实验室研发人员发现:此Vitesta DDR2-667 蕴藏了极大的潜力,能激发出远高于667MHz 的实力。
在相同工作频率之条件下:与2.5V 之DDR 相比较,DDR2 拜1.8V 低电压技术之助,能有效减少约50% 耗电。所以,这是一项「环保导向」的「绿色」产品。同时,为了实现:惊人的极致速度;「威刚科技」特别严选-低寄生负载效应的FBGA (Fine-pitch Ball Grand Array;精细球栅数组) 封装,务使Vitesta 内存畅快奔驰,毫无任何负担。
与DDR 相较,DDR2 凭借以下4 项关键技术,实现:高速传输与低功率 (低耗电)之特质。
四位-预先攫取
DDR2 藉由:4 倍之数据传输量,实现高速传输。同时,也是DDR 传输速率的2 倍。在此四位-预先攫取技术的架构中,「读」跟「写」将以:内部排线频率之4 倍等效频率实现。这也是为何DDR2 能达成内部总线之4 倍传输速率的原因。
内建中断电阻设计
DDR2 内部预置:主机板之阻抗匹配所需的中断电阻,能大幅衰减之前的传输讯号,移除残留反射讯号之噪声干扰,增进一清晰之逻辑准位,避免接收到一错误数据。
外部讯号校正技术
OCD 是一组输入/输出之驱动电阻,被用以调整「差动电压讯号」波形之交叉点,以便平衡上升与下降讯号之波形;可大幅提升:自内存到芯片组间的噪声抵抗能力。
后置CAS 与AL 技术
Posted CAS (Column Address Strobe) 是为了提高DDR2 之存取效率而设计。在 Posted CAS 中,CAS 信号 (读/写命令)能够被安插到RAS (Row Address Strobe) 信号后面的一个频率周期;这使得CAS 命令可以在:附加延迟 (Additive Latency)的后面 (0, 1, 2, 3, 4) 个周期,仍然保持有效且可以被执行。这可简化控制电路的设计,避免总线上的冲突,并且提升效率,同时简化执行命令的顺序;更重要的是:藉由移除「气泡」的方式,增加实际内存之频宽。