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DDR2内存模块是新一代的DDR内存革新技术，具有更快的速度、更高的数据频宽、更低的电源消耗及提高散热效能等特性。DDR2内存芯片使用球型数组封装（Fine-pitch BGA，FBGA）加强了电力与热感特性；此外，DDR2内存芯片也将整合内存讯号终端电阻（On-Die Termination，ODT）降低高速传输时的内存讯号回授情形，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4 Gigabit，将能显著提升内存模块的容量。
产品特征：
1.8伏特操作，可使电源消耗降低约50%
内存芯片内部的内存讯号终端电阻（On-Die Termination）可防止发生回授讯号传输错误
操作上的改良可增强内存效能、效率及时序预留空间
CAS 延迟时间: 3, 4, 5
