光电(GIGARAM)内存采用力晶0.11 微米至程的颗粒,在上PCB板前都经过严格挑选, 记忆体采用六层PCB板,可达到整条记忆体模组的高度稳定。 GIGARAM 笔记本内存采用DDR内存颗粒,支持DDR400规格。内存采用200Pin设计,TSOP封装。
光电(GIGARAM)内存采用力晶0.11 微米至程的颗粒,在上PCB板前都经过严格挑选, 记忆体采用六层PCB板,可达到整条记忆体模组的高度稳定。 GIGARAM 笔记本内存采用DDR内存颗粒,支持DDR400规格。内存采用200Pin设计,TSOP封装。
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