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本文详细介绍DDR2和DDR3内存的区别以及DDR3的新特性。

发布时间:2010-07-22 15:42:33

答案:

  解决方案 Proliant系列G5、G6服务器内存主要区别在于,G5系列的server所使用内存为DDR2,而G6系列的server由于硬件架构的升级均采用了DDR3内存。 下面详细介绍DDR2和DDR3内存的区别以及DDR3的新特性: DDR3在大容量内存的支持较好,而大容量内存的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位操作系统的执行上限(不考虑PAE等等的内存映像模式,因这些32位元元延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流)当市场需求超过4GB的时候,64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案,此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3 UB DIMM 2007进入市场,成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。DDR3内存相对于DDR2内存,其实只是规格上的提高,并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。 与DDR2相比DDR3具有的优点(unbuffered DIMM): 速度更快:prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit,核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。 更省电:DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V,同频率下比DDR2更省电,搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能,内部增加温度senser,可依温度动态控制更新率(RASR,Partial Array Self-Refresh功能),达到省电目的。 容量更大:更多的Bank数量,依照JEDEC标准,DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB),但目前许多DRAM 厂商的规划,DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量,也就是说届时单条DDR2的DRAM模块,容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳,目前规划单条模块到16GB也没问题(注意:这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言,server用的FB与Registered不在此限)。 DDR2与DDR3内存的特性区别。 逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 封装(Packages) 由于DDR3新增了一些功能,在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。 突发长度(BL,Burst Length) 由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。 寻址时序(Timing) 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间,而 DDR3则在5至11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL -2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。 新增功能 — 重置(Reset) 重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能,如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。 新增功能 — ZQ校准 ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(ODCE,On-Die Calibration Engine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 ©版权所有 2009 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hewlett-Packard 公司对本文档包含的技术性或编辑性错误或遗漏之处不承担任何责任。本信息以"维持原状"的方式提供,没有任何种类的担保。 在法律允许的范围内,在任何情况下,HP 或其附属公司、分包商或供应商都不对偶然、特殊或随发损坏负责,包括停机成本;利润损失;与获取替代产品或服务相关的损坏;或数据丢失或软件恢复损坏。 本文档包含的信息可能随时更改,恕不另行通知。 本文中所涉及的 Hewlett-Packard 公司和 Hewlett-Packard 产品名称是 Hewlett-Pack ard 公司在美国和其它国家/地区的商标。本文中所涉及的其他产品和公司名称可能是其相应所有者的商标。

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