：①高电位的反击和大电流导入的问题：
　　 雷击避雷针后，雷电流流过引下线时各点的电位：U = IRg + L0h
　　 雷电流幅值I="100kA"；
　　 引下线单位长度电感L0=1、67μH/m；
　　 接地装置的冲击接地电阻Rg="10"Ω；
　　 雷电流陡度 = kA/μs="38"、46kA/μs；
　　 假设高度h="30m"，则
　　 U="IRg"+L0h
　　　 =100×103×10 + 1、67×10-6×30×38、46×109
　　　 = 1000 + 1927 (kV) = 2927 (kV)
　　 即使接地装置的接地电阻Rg = 0Ω，
　　 U = L0h
　　　 = 1、5×10-6×30×38、46×109 = 1927 (kV)

　　 ②雷击避雷针的电磁效应
　　 雷击避雷针时，附近导线的感应过电压避雷针上各点（N点）的电位：
　　 uN = IR + L0h
　　 设L0=1、67μH/m，h="20m"，R="10"Ω，I="100kA"，t="2"、6μs，
　　 uN = IR + L0h =100×10+ (1、67×20× ) ≈2285(kV)
　　 沿针体存在的高电位引影响下，其附近的线路上的静电感应过电压：
　　 uj= uN
　　 同时针附近的金属开口环的开口处有电磁感应过电压：
　　 uCI = M = 0、2c(ln )
　　 当a="b"=1m，c="10m"， I="100kA"时，
　　 uCI = 0、2c(ln )
　　　 = (0、2×10×ln2)× ≈ 53、3(kV)
　　 雷击避雷针，雷电流入地处的地电位升高，引下线周围空间形成强烈的电磁脉冲。雷击点附近的通讯线路、信号控制线路、射频传输线路会通过反击和电磁耦合的方式，形成暂态过电压，并以雷电波的形式沿线路传播，危害电子设备。
　　 ③附近雷击时的环境情况
　　 LPZ0区内的磁场强度 H0 = (A/m)
　　 i0 – 雷电流(kA)，通信局(站)取100kA；
　　 Sa – 雷击点与屏蔽空间之间的平均距离 (m) ；
　　 LPZ1区内的磁场强度从H0减为H1

　　 H1 = (A/m)
　　 SF – 屏蔽系数(dB)
　　 微电子设备的工作电压不到10伏，工作电流只有数毫安或微安。
　　 美国AD报告(AD-722675)：
　　 永久性损坏—2、4Gs(1、2Gs)；误动—0、07Gs (0、035Gs)
　　 B = = ×104 (Gs)
　　 B1 = 2、4Gs时，Sa = 83m；B2 = 0、07Gs时，Sa = 240m

　　 结论：对于雷电感应，采用等电位连接的方式、有效地限制雷电流的幅值和陡度，才能降低雷击后的高电位大电流、强烈的电磁脉冲等二次效应。